POLY-SILICON INSULATED-GATE FIELD-EFFECT TRANSISTOR

被引：18
作者：
FA, CH
JEW, TT
机构：
来源：
IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES | 1966年 / ED13卷 / 02期
关键词：
D O I：
10.1109/T-ED.1966.15682
中图分类号：
TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];
学科分类号：
0808 ; 0809 ;
摘要：
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BEESON, RH ;
ALLISON, DF .
IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 1965, ED12 (01) :20-&
[3]  
MCWILLIAMS D, 1964, J ELECTROCHEM SOC, V111, pC153
[4]   CHARACTERISTICS OF METAL-OXIDE-SEMICONDUCTOR TRANSISTORS [J].
SAH, CT .
IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 1964, ED11 (07) :324-+
[5]  
THORNTON CG, 1964, P NATL ELECTRON C, V20, P175
1