MEASUREMENT OF INSULATED GATE FIELD-EFFECT TRANSISTOR IN WEAK INVERSION FOR DETERMINING SURFACE STATE DENSITY

被引：0
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作者：
PASZTOR, G
机构：
来源：
ACTA TECHNICA ACADEMIAE SCIENTIARUM HUNGARICAE | 1975年 / 80卷 / 1-2期
关键词：
D O I：
暂无
中图分类号：
P3 [地球物理学]; P59 [地球化学];
学科分类号：
0708 ; 070902 ;
摘要：
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页数：14
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