EFFECT OF SURFACE-STATES ON DEVICE AND INTERCONNECT ISOLATION IN GAAS-MESFET AND INP MISFET INTEGRATED CIRCUITS

被引：0

作者：

HASEGAWA, H ^{[1
]}

KITAGAWA, T ^{[1
]}

MASUDA, H ^{[1
]}

YANO, H ^{[1
]}

OHNO, H ^{[1
]}

机构：

[1] HOKKAIDO UNIV, FAC ENGN, DEPT ELECT ENGN, SAPPORO, HOKKAIDO 060, JAPAN

来源：

关键词：

D O I：

暂无

中图分类号：

O646 [电化学、电解、磁化学];

学科分类号：

081704 ;

摘要：

引用

页码：C349 / C349

页数：1