DEPENDENCE OF I-U CHARACTERISTICS OF GAAS-MESFET ON TEMPERATURE AND ELECTRON-IRRADIATION

被引：1

作者：

EUTHYMIOU, PC ^{[1
]}

BANBURY, PC ^{[1
]}

PAPAIOANNOU, GJ ^{[1
]}

ZARDAS, GE ^{[1
]}

机构：

[1] UNIV READING,JJ THOMSON PHYS LAB,READING RG6 2AH,BERKS,ENGLAND

来源：

PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLIED RESEARCH | 1989年 / 116卷 / 01期

关键词：

D O I：

10.1002/pssa.2211160172

中图分类号：

T [工业技术];

学科分类号：

08 ;

摘要：

引用

页码：K133 / K135

页数：3

共 5 条

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