SHORT-CHANNEL EFFECTS ON MOS-TRANSISTOR CAPACITANCES

被引：1

作者：

SHEU, BJ

KO, PK

机构：

[1] UNIV SO CALIF,INST INFORMAT SCI,LOS ANGELES,CA 90089

[2] UNIV CALIF BERKELEY,DEPT ELECT ENGN & COMP SCI,BERKELEY,CA 94720

来源：

IEEE TRANSACTIONS ON CIRCUITS AND SYSTEMS | 1986年 / 33卷 / 10期

关键词：

MOS TRANSISTOR CAPACITANCE - SHORT CHANNEL EFFECTS;

D O I：

10.1109/TCS.1986.1085841

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

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页数：3