FAR INFRARED RESONANT ABSORPTION IN N-TYPE SILICON

被引：0

作者：

NEURINGE.LJ

MILWARD, RC

AGGARWAL, RL

机构：

来源：

JOURNAL OF THE PHYSICAL SOCIETY OF JAPAN | 1966年 / S 21卷

关键词：

D O I：

暂无

中图分类号：

O4 [物理学];

学科分类号：

0702 ;

摘要：

引用

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页码：582 / &

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