USE OF PRECISION DENSITY AND LATTICE-PARAMETER MEASUREMENTS FOR STUDY OF POINT-DEFECTS IN SINGLE-CRYSTALS OF SEMICONDUCTORS .2. DETERMINATION OF HOMOGENEITY REGIONS OF COMPOUNDS, THE VEGARD LAW APPLICATION

被引：10
作者：
MOROZOV, AN
BUBLIK, VT
机构：
来源：
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH | 1986年 / 75卷 / 03期
关键词：
D O I：
10.1016/0022-0248(86)90095-3
中图分类号：
O7 [晶体学];
学科分类号：
0702 ; 070205 ; 0703 ; 080501 ;
摘要：
引用
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页码：497 / 503
页数：7
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