PULSED HIGH-RATE PLASMA-ETCHING WITH VARIABLE SI/SIO2 SELECTIVITY AND VARIABLE SI ETCH PROFILES

被引：110

作者：

BOSWELL, RW ^{[1
]}

HENRY, D ^{[1
]}

机构：

[1] AUSTRALIAN NATL UNIV,RES SCH PHYS SCI,PLASMA RES LAB,CANBERRA,ACT 2600,AUSTRALIA

来源：

关键词：

D O I：

10.1063/1.96340

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

页码：1095 / 1097

页数：3

共 5 条

BOSWELL, R ;

PORTEOUS, R ;

PRYTZ, A ;

BOUCHOULE, A ;

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