RADIATION ANNEALING OF SI-IMPLANTED AND S-IMPLANTED GAAS

被引：14

作者：

ITO, K

YOSHIDA, M

OTSUBO, M

MUROTANI, T

机构：

来源：

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS | 1983年 / 22卷 / 05期

关键词：

D O I：

10.1143/JJAP.22.L299

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

页码：L299 / L300

页数：2

共 5 条

[1] RADIATION ANNEALING OF GAAS IMPLANTED WITH SI [J].

ARAI, M ;

NISHIYAMA, K ;

WATANABE, N .

[2] INFRARED RAPID THERMAL ANNEALING OF SI-IMPLANTED GAAS [J].

KUZUHARA, M ;

KOHZU, H ;

TAKAYAMA, Y .

[3]

KUZUHARA M, 1982, 1982 INT EL DEV M, P170

[4]

NAKAI Y, 1969, TOSHIBA REV, V24, P721

YEO, YK ;

KWOR, R ;

PARK, YS .