MOCVD GROWTH OF GAAS/GA1-XALXAS EPITAXIAL LAYERS FOR MONOLITHIC OPTOELECTRONIC DEVICES

被引：0
作者：
JONES, MW
FORBES, N
机构：
来源：
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH | 1984年 / 68卷 / 01期
关键词：
D O I：
10.1016/0022-0248(84)90451-2
中图分类号：
O7 [晶体学];
学科分类号：
0702 ; 070205 ; 0703 ; 080501 ;
摘要：
引用
收藏
页码：466 / 473
页数：8
相关论文
共 6 条
[1]  
Ambridge T., 1973, J APPL ELECTROCHEM, V3, P1
[2]  
CARTER AC, 1982, ELECTRON LETT, V19, P72
[3]   QUANTUM WELL AND MODULATION DOPED GAAS - GA1-XALXAS HETEROSTRUCTURES [J].
FRIJLINK, PM ;
MALUENDA, J .
JOURNAL DE PHYSIQUE, 1982, 43 (NC-5) :185-191
[4]   NEW CONTACT RESISTANCE PROFILING METHOD FOR ASSESSMENT OF 3-5 ALLOY MULTILAYER STRUCTURES [J].
GOODFELLOW, RC ;
CARTER, AC ;
DAVIS, R ;
HILL, C .
ELECTRONICS LETTERS, 1978, 14 (11) :328-330
[5]  
GRIFFITHS RJM, 1983, ELECTRON LETT, V19, P27
[6]   ATTENUATION MEASUREMENTS ON MOCVD-GROWN GAAS GAALAS OPTICAL-WAVEGUIDES [J].
WALKER, RG ;
GOODFELLOW, RC .
ELECTRONICS LETTERS, 1983, 19 (15) :590-592
1