CHARACTERIZATION AND SIMULATION OF SI ION-IMPLANTATION IN GAAS

被引：0

作者：

BINDAL, A ^{[1
]}

HWU, R ^{[1
]}

WANG, KL ^{[1
]}

机构：

[1] UNIV CALIF LOS ANGELES,DEPT ELECT ENGN,DEVICE RES LAB,LOS ANGELES,CA 90024

来源：

JOURNAL OF THE ELECTROCHEMICAL SOCIETY | 1986年 / 133卷 / 08期

关键词：

D O I：

暂无

中图分类号：

O646 [电化学、电解、磁化学];

学科分类号：

081704 ;

摘要：

引用

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页码：C327 / C327

页数：1

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