FIELD-EFFECT TRANSISTOR SENSITIVE TO DIPOLAR MOLECULES

被引：36

作者：

BLACKBURN, GF

LEVY, M

JANATA, J

机构：

来源：

APPLIED PHYSICS LETTERS | 1983年 / 43卷 / 07期

关键词：

D O I：

10.1063/1.94536

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

收藏

页码：700 / 701

页数：2

相关论文

共 2 条

[1] THE SUSPENDED MESH ION-SELECTIVE FIELD-EFFECT TRANSISTOR [J].

BLACKBURN, G ;

JANATA, J .

JOURNAL OF THE ELECTROCHEMICAL SOCIETY, 1982, 129 (11) :2580-2584

[2] HYDROGEN-SENSITIVE PD-GATE MOS-TRANSISTOR [J].

LUNDSTROM, KI ;

SHIVARAMAN, MS ;

SVENSSON, CM .

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 1975, 46 (09) :3876-3881