IMPROVED THRESHOLD VOLTAGE UNIFORMITY IN GAAS-MESFET USING HIGH-PURITY MOCVD-GROWN BUFFER LAYER AS A SUBSTRATE FOR ION-IMPLANTATION

被引：8

作者：

SANO, Y

NAKAMURA, H

AKIYAMA, M

EGAWA, T

ISHIDA, T

KAMINISHI, K

机构：

来源：

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS & EXPRESS LETTERS | 1984年 / 23卷 / 05期

关键词：

D O I：

10.1143/JJAP.23.L290

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

页码：L290 / L292

页数：3