THERMAL-OXIDATION OF SILICON - INFLUENCE OF STRESS ON THE GROWTH-RATE

被引：0

作者：

GHIBAUDO, G ^{[1
]}

机构：

[1] ECOLE NATL SUPER ELECTR & RADIOELECT,PHYS COMPOSANTS SEMICOND LAB,F-38031 GRENOBLE,FRANCE

来源：

关键词：

D O I：

暂无

中图分类号：

O646 [电化学、电解、磁化学];

学科分类号：

081704 ;

摘要：

引用

页码：C316 / C316

页数：1