INFLUENCE OF SOURCE-DRAIN SERIES RESISTANCE ON MOSFET FIELD-EFFECT MOBILITY

被引：17

作者：

CABONTILL, B

GHIBAUDO, G

CRISTOLOVEANU, S

机构：

[1] Ecole Natl Superieure d'Electronique, et de Radio-Electricite de Grenoble,, Lab de Physique des Composants a, Ecole Natl Superieure d'Electronique et de Radio-Electricite de Grenoble, Lab de Physique des Compo

来源：

ELECTRONICS LETTERS | 1985年 / 21卷 / 11期

关键词：

D O I：

10.1049/el:19850324

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：457 / 458

页数：2

共 4 条

[1]

CHUHAO, SOLID STATE ELECTRON

[2] AGING OF SUB-MICRON MOS-TRANSISTORS AFTER ELECTRICAL STRESS [J].

CRISTOLOVEANU, S ;

CABONTILL, B ;

KANG, KN ;

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