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ENHANCED SCHOTTKY-BARRIER AL0.15GA0.85AS/IN0.53GA0.47AS METAL-SEMICONDUCTOR METAL PHOTODETECTOR GROWN BY OMCVD
被引：0
作者：
HONG, WP
CHANG, GK
BHAT, R
DANG, C
KOZA, M
机构：
来源：
GALLIUM ARSENIDE AND RELATED COMPOUNDS 1988
|
1989年
关键词：
D O I：
暂无
中图分类号：
O7 [晶体学];
学科分类号：
0702 ;
070205 ;
0703 ;
080501 ;
摘要：
引用
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页码：553 / 557
页数：5
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