AVALANCHE BUILDUP TIME OF SILICON AVALANCHE PHOTODIODES

被引：22

作者：

KANEDA, T ^{[1
]}

TAKANASHI, H ^{[1
]}

机构：

[1] FUJITSU LABS,NAKAHARA,KAWASAKI,JAPAN

来源：

关键词：

D O I：

10.1063/1.88010

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

页码：642 / 644

页数：3

共 6 条

[1] FREQUENCY RESPONSE OF AVALANCHING PHOTODIODES [J].

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LUCOVSKY, G .

[2] AVALANCHE BUILT-UP TIME OF GERMANIUM AVALANCHE PHOTODIODE [J].

KANEDA, T ;

TAKANASHI, H .

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