THIN, HIGHLY DOPED LAYERS OF EPITAXIAL SILICON DEPOSITED BY LIMITED REACTION PROCESSING

被引：35

作者：

GRONET, CM ^{[1
]}

STURM, JC ^{[1
]}

WILLIAMS, KE ^{[1
]}

GIBBONS, JF ^{[1
]}

WILSON, SD ^{[1
]}

机构：

[1] CHARLES EVANS & ASSOCIATES,SAN MATEO,CA 94402

来源：

关键词：

D O I：

10.1063/1.96620

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

页码：1012 / 1014

页数：3

共 5 条

ARCHER, VD .

[2]

ARMIGLIATO A, 1977, SEMICONDUCTOR SILICO, P637

[3] LIMITED REACTION PROCESSING - SILICON EPITAXY [J].

GIBBONS, JF ;

GRONET, CM ;

WILLIAMS, KE .

[4]

KUBIAK RA, 1985, SILICON MOL BEAM EPI, P169

MASETTI, G ;

SEVERI, M ;

SOLMI, S .