EPITAXIAL GROWTH OF SILICON CARBIDE

被引：55

作者：

JENNINGS, VJ

SOMMER, A

CHANG, HC

机构：

来源：

关键词：

D O I：

10.1149/1.2424101

中图分类号：

O646 [电化学、电解、磁化学];

学科分类号：

081704 ;

摘要：

引用

页码：728 / &

共 10 条

[1] DISLOCATIONS IN SILICON CARBIDE [J].

AMELINCKX, S ;

STRUMANE, G ;

WEBB, WW .

[2] A VAPOR-GROWN VARIABLE CAPACITANCE DIODE [J].

ANDERSON, RL ;

OROURKE, MJ .

[3]

DROWART J, 1960, SILICON CARBIDE HIGH, P16

[4]

Faust J. W., 1960, SILICON CARBIDE HIGH, P403

[5]

KNIPPENBERG WF, 1963, PHILIPS RES REPT, V18, P270

[6]

KNIPPENBERG WF, 1963, PHILLIPS RESEARCH RE, V18, P264

[7]

MITCHELL RS, 1953, AM MINERAL, V38, P60

[8]

O'Connor John, 1960, SILICON CARBIDE, P16

[9]

OCONNOR JR, 1960, SILICON CARBIDE ED, P403

[10]

Thibault NW, 1944, AM MINERAL, V29, P327