HIGH-PERFORMANCE ION-IMPLANTED LOW-NOISE GAAS-MESFETS

被引:7
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作者
FENG, M
EU, VK
KANBER, H
HACKETT, R
机构
来源
ELECTRON DEVICE LETTERS | 1982年 / 3卷 / 11期
关键词
D O I
10.1109/EDL.1982.25589
中图分类号
TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];
学科分类号
0808 ; 0809 ;
摘要
引用
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页码:327 / 329
页数:3
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