HIGH-VOLTAGE JUNCTION-GATE FIELD-EFFECT TRANSISTOR WITH RECESSED GATES

被引:13
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作者
BALIGA, BJ
机构
关键词
D O I
10.1109/T-ED.1982.20915
中图分类号
TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];
学科分类号
0808 ; 0809 ;
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页码:1560 / 1570
页数:11
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