TEMPERATURE-DEPENDENCE OF THE THRESHOLD CURRENT-DENSITY IN INP-GA0.28IN0.72AS0.6P0.4 (LAMBDA = 1.3 MU-M) DOUBLE HETEROSTRUCTURE LASERS

被引：32

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作者：

CASEY, HC

机构：

来源：

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS | 1984年 / 56卷 / 07期

关键词：

D O I：

10.1063/1.334226

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

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页码：1959 / 1964

页数：6

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共 21 条

[21] LIQUID-PHASE EPITAXY OF 1.55 MU-M EMITTING IN1-XGAXASYP1-Y-INP (X-APPROXIMATELY-0.5Y, Y-APPROXIMATELY-0.9) DOUBLE HETEROSTRUCTURE LASERS CHARACTERIZED BY A WEAK DENSITY THRESHOLD CURRENT
JICQUEL, JP
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JOURNAL DE PHYSIQUE, 1982, 43 (NC-5): : 453 - 453