INVESTIGATION OF UV EFFECT ON RESPONSIVITY OF SILICON PHOTODIODES

被引：0
作者：
SCHAEFER, AR [1 ]
机构：
[1] NBS,RADIOMETRIC PHYS SECT,WASHINGTON,DC 20234
来源：
JOURNAL OF THE OPTICAL SOCIETY OF AMERICA | 1976年 / 66卷 / 10期
关键词：
D O I：
暂无
中图分类号：
O4 [物理学];
学科分类号：
0702 ;
摘要：
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共 1 条
  • [1] SILICON PHOTODETECTOR INSTABILITIES IN UV
    LIND, MA
    ZALEWSKI, EF
    [J]. APPLIED OPTICS, 1976, 15 (06): : 1377 - 1378
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