EFFECT OF SILICIDE PROCESS ON BIPOLAR-TRANSISTOR CURRENT GAIN

被引：0
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作者：
OH, KH
PANOUSIS, PT
机构：
来源：
IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES | 1983年 / 30卷 / 10期
关键词：
D O I：
10.1109/T-ED.1983.21310
中图分类号：
TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];
学科分类号：
0808 ; 0809 ;
摘要：
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页码：1406 / 1408
页数：3
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