STRESS-INDUCED GRAIN-BOUNDARY FRACTURES IN AL-SI INTERCONNECTS

被引：98

作者：

HINODE, K ^{[1
]}

OWADA, N ^{[1
]}

NISHIDA, T ^{[1
]}

MUKAI, K ^{[1
]}

机构：

[1] HITACHI LTD,CTR DEVICE DEV,OME,TOKYO 198,JAPAN

来源：

JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B | 1987年 / 5卷 / 02期

关键词：

D O I：

10.1116/1.583942

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：518 / 522

页数：5

共 7 条

[1] ELECTROMIGRATION - A BRIEF SURVEY AND SOME RECENT RESULTS [J].

BLACK, JR .

[2]

NELSON G, 1984 P INT REL PHYS, P6

[3]

ODONNELL SJ, 1984 P INT REL PHYS, P9

[4]

OWADA N, 1985, 2ND P INT VLSI MULT, P173

[5] TEMPERATURE-DEPENDENCE OF THE STRESS IN PSG-AL-SI STRUCTURES [J].

SUGAKI, S ;

SHINTANI, A ;

NAKASHIMA, H .

[6]

SZE SM, 1983, VLSI TECHNOLOGY, P367

VAIDYA, S ;

SHENG, TT ;

SINHA, AK .