SELECTIVE AREA GROWTH OF GALLIUM-ARSENIDE BY METALORGANIC VAPOR-PHASE EPITAXY

被引：39

作者：

GHOSH, C

LAYMAN, RL

机构：

来源：

关键词：

D O I：

10.1063/1.95073

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

页码：1229 / 1231

页数：3

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