ELECTRON VELOCITY-FIELD CHARACTERISTICS OF GAAS AND IN0.53GA0.47AS BELOW THE GUNN-EFFECT THRESHOLD

被引：0
|
作者：
HAASE, MA
TABATABAIE, N
ROBBINS, VM
STILLMAN, GE
机构：
[1] UNIV ILLINOIS,ELECT ENGN RES LAB,URBANA,IL 61801
[2] UNIV ILLINOIS,MAT RES LAB,URBANA,IL 61801
[3] UNIV ILLINOIS,COORDINATED SCI LAB,URBANA,IL 61801
来源：
IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES | 1984年 / 31卷 / 12期
关键词：
D O I：
10.1109/T-ED.1984.21885
中图分类号：
TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];
学科分类号：
0808 ; 0809 ;
摘要：
引用
收藏
页码：1984 / 1985
页数：2
相关论文
共 50 条
12345