THIN SIO2 INSULATORS GROWN BY RAPID THERMAL-OXIDATION OF SILICON

被引：52

作者：

MOSLEHI, MM

SHATAS, SC

SARASWAT, KC

机构：

来源：

关键词：

D O I：

10.1063/1.96278

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

页码：1353 / 1355

页数：3

共 7 条

[1] GENERAL RELATIONSHIP FOR THERMAL OXIDATION OF SILICON [J].

DEAL, BE ;

GROVE, AS .

[2]

GRANT G, 1984, UNPUB ELECTROCHEMICA

[3]

HO C, 1983, SEL83001 STANF U TEC, P3

MASSOUD, HZ ;

PLUMMER, JD ;

IRENE, EA .

[5] RAPID THERMAL NITRIDATION OF SIO2 FOR NITROXIDE THIN DIELECTRICS [J].

MOSLEHI, MM ;

SARASWAT, KC ;

SHATAS, SC .

[6]

NULMAN J, 1985, ELECTRON DEVICE LETT, V6, P205

[7] NEW MODEL OF THE RAPID INITIAL OXIDATION OF SILICON [J].

SCHAFER, SA ;

LYON, SA .