ROOM-TEMPERATURE CW OPERATION OF BURIED-STRIPE DOUBLE-HETEROSTRUCTURE GALNASP/INP DIODE-LASERS

被引：98

作者：

HSIEH, JJ ^{[1
]}

SHEN, CC ^{[1
]}

机构：

[1] MIT,LINCOLN LAB,LEXINGTON,MA 02173

来源：

关键词：

D O I：

10.1063/1.89411

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

页码：429 / 431

页数：3

共 3 条

HSIEH, JJ ;

ROSSI, JA ;

DONNELLY, JP .

SHEN, CC ;

HSIEH, JJ ;

LIND, TA .

[3] GAAS-GA1-XALXAS BURIED-HETEROSTRUCTURE INJECTION LASERS [J].

TSUKADA, T .