FABRICATION OF SUBMICROMETER STRUCTURES IN SI USING SICL4/O2 REACTIVE-ION ETCHING

被引：0

作者：

CABRAL, SM ^{[1
]}

RATHMAN, DD ^{[1
]}

ECONOMOU, NP ^{[1
]}

机构：

[1] MIT,LINCOLN LAB,LEXINGTON,MA 02173

来源：

JOURNAL OF THE ELECTROCHEMICAL SOCIETY | 1983年 / 130卷 / 03期

关键词：

D O I：

暂无

中图分类号：

O646 [电化学、电解、磁化学];

学科分类号：

081704 ;

摘要：

引用

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页数：1

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共 1 条

[1] PANG S, 1982, ELECTROCHEM SOC EXTE, V2, P289