A NOTE ON FERMI LEVELS, QUASI-FERMI LEVELS, AND TERMINAL VOLTAGES IN SEMICONDUCTOR DEVICES

被引：7
作者：
JORDAN, AG
LADE, RW
SCHARFETTER, DL
机构：
来源：
AMERICAN JOURNAL OF PHYSICS | 1963年 / 31卷 / 07期
关键词：
D O I：
10.1119/1.1969608
中图分类号：
G40 [教育学];
学科分类号：
040101 ; 120403 ;
摘要：
引用
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页码：490 / &
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共 6 条
[1]  
HOLMES PJ, 1962, ELECTROCHEMISTRY SEM, P15
[2]  
KITTEL O, 1953, SOLID STATE PHYSICS, P590
[3]  
SCHARFETTER DL, 1963, IRE T ELECTRON DEVIC, VED10, P29
[4]   THE THEORY OF P-N JUNCTIONS IN SEMICONDUCTORS AND P-N JUNCTION TRANSISTORS [J].
SHOCKLEY, W .
BELL SYSTEM TECHNICAL JOURNAL, 1949, 28 (03) :435-489
[5]  
SHOCKLEY W, 1950, ELECTRONS HOLES SEMI, P295
[6]  
SMITH RA, 1961, SEMICONDUCTORS, P313
1