REACTIVE PROPERTIES OF REVERSE-BIASED SILICON P-N JUNCTION

被引：0
作者：
ABDULLAYEV, GB
DZHAFARO.EA
BADALOV, AE
CHELNOKO.VE
ISKENDER.ZA
机构：
来源：
RADIO ENGINEERING AND ELECTRONIC PHYSICS-USSR | 1966年 / 11卷 / 07期
关键词：
D O I：
暂无
中图分类号：
O7 [晶体学];
学科分类号：
0702 ; 070205 ; 0703 ; 080501 ;
摘要：
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共 3 条
[1]  
ABDULLAYEV GB, 1964, IZVESTIYA AN AZE PMS, P81
[2]  
ADULLAYEV GB, 1965, RADIOTEKH ELEKTRON, V10, P776
[3]  
AKHUNDOV GA, 1963, IZVESTIYA AN AZE PMS, P95
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