ISOELECTRONIC TRAPS DUE TO NITROGEN IN GALLIUM PHOSPHIDE

被引：556

作者：

THOMAS, DG

HOPFIELD, JJ

机构：

来源：

PHYSICAL REVIEW | 1966年 / 150卷 / 02期

关键词：

D O I：

10.1103/PhysRev.150.680

中图分类号：

O4 [物理学];

学科分类号：

0702 ;

摘要：

引用

页码：680 / &

共 15 条

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