ON THE DIAMAGNETISM OF DEEP IMPURITIES IN QUANTIZED SEMICONDUCTOR-FILMS

被引：3
作者：
IMAMOV, EZ
KREVCHIK, VD
机构：
来源：
PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC RESEARCH | 1982年 / 114卷 / 01期
关键词：
D O I：
10.1002/pssb.2221140123
中图分类号：
O469 [凝聚态物理学];
学科分类号：
070205 ;
摘要：
引用
收藏
页码：201 / 207
页数：7
相关论文
共 10 条
[1]  
BEYTMEN G, 1973, VYSSHIE TRANSTSEDENT
[2]  
BULYANITSA DS, 1978, FIZ TEKH POLUPROV, V12, P1023
[3]  
DEMKOV YN, 1975, METOD POTENTSIALOV N
[4]  
GRADSHTEIN IS, 1962, TABLITSI INTEGRALOV
[5]  
KLIMENKO AG, 1973, IZV VUZOV SSSR F, V5, P26
[6]   ON THE PHOTOIONIZATION OF DEEP IMPURITY CENTERS IN SEMICONDUCTORS [J].
Lucovsky, G. .
SOLID STATE COMMUNICATIONS, 1965, 3 (09) :299-302
[7]  
LUTSKII VN, 1971, 6TH P SCH THEOR NUCL, P290
[8]   MAGNETIC PROPERTIES OF N-TYPE SILICON [J].
SONDER, E ;
STEVENS, DK .
PHYSICAL REVIEW, 1958, 110 (05) :1027-1034
[9]  
TAVGER BA, 1968, USP FIZ NAUK, V96, P61
[10]  
ZOTYEV BP, 1977, FIZ TEKH POLUPROV, V11, P2202
1