GAIN UNIFORMITY OF INP/INGAASP/INGAAS AVALANCHE PHOTODIODES WITH SEPARATE ABSORPTION, GRADING, AND MULTIPLICATION REGIONS

被引：4
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作者：
HOLDEN, WS
CAMPBELL, JC
DENTAI, AG
机构：
来源：
IEEE JOURNAL OF QUANTUM ELECTRONICS | 1985年 / 21卷 / 09期
关键词：
D O I：
10.1109/JQE.1985.1072848
中图分类号：
TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];
学科分类号：
0808 ; 0809 ;
摘要：
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页码：1310 / 1313
页数：4
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