EFFECT OF SCHOTTKY-BARRIER PROPERTIES ON FREQUENCY DISPERSION OF TRANSCONDUCTANCE OF FIELD TRANSISTOR WITH SCHOTTKY-BARRIER

被引：0
作者：
GERGEL, VA
ILICHEV, EA
POLTORATSKII, EA
RODIONOV, AV
TARNAVSKII, SP
FEDORENKO, AV
机构：
来源：
PISMA V ZHURNAL TEKHNICHESKOI FIZIKI | 1991年 / 17卷 / 14期
关键词：
D O I：
暂无
中图分类号：
O59 [应用物理学];
学科分类号：
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页码：78 / 80
页数：3
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共 3 条
  • [1] ILICHEV EA, 1990, ELEKTRON PROMST, P27
  • [2] THE DELTA-DOPED FIELD-EFFECT TRANSISTOR
    SCHUBERT, EF
    PLOOG, K
    [J]. JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS, 1985, 24 (08): : L608 - L610
  • [3] 1991, GALLIUM ARSENIDE REL, P401
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