SITE DISTRIBUTION AND MICROCHARACTERISTICS OF IN DOPANT ATOMS IN SI BY PERTURBED ANGULAR-CORRELATION TECHNIQUES

被引：0

作者：

SHEU, YS ^{[1
]}

ELLIS, WH ^{[1
]}

机构：

[1] UNIV FLORIDA,DEPT NUCL ENGN SCI,GAINESVILLE,FL 32611

来源：

ABSTRACTS OF PAPERS OF THE AMERICAN CHEMICAL SOCIETY | 1983年 / 186卷 / AUG期

关键词：

D O I：

暂无

中图分类号：

O6 [化学];

学科分类号：

0703 ;

摘要：

引用

页码：86 / NUCL