CONTROLLED BARRIER HEIGHT INP SCHOTTKY DIODES PREPARED BY SULFUR DIFFUSION

被引：9

作者：

COLEMAN, JJ ^{[1
]}

机构：

[1] BELL TEL LABS INC,MURRAY HILL,NJ 07974

来源：

APPLIED PHYSICS LETTERS | 1977年 / 31卷 / 04期

关键词：

D O I：

10.1063/1.89663

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

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页码：283 / 285

页数：3

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