STRUCTURAL AND TECHNOLOGICAL PROPERTIES OF HEAVILY INSITU PHOSPHORUS-DOPED LOW-PRESSURE CHEMICALLY VAPOR-DEPOSITED SILICON FILMS

被引：10

作者：

BIELLEDASPET, D

MERCADERE, L

BOUKEZZATA, M

PIERAGGI, B

DEMAUDUIT, B

机构：

[1] CNRS,UNITE RECH 445,ECOLE NATL SUPER CHIM TOULOUSE,MET PHYS LAB,F-31062 TOULOUSE,FRANCE

[2] UNIV TOULOUSE 3,CNRS,UNITE RECH 799,MICROSCOPIE & STRUCT MAT LAB,F-31062 TOULOUSE,FRANCE

来源：

关键词：

D O I：

10.1016/0040-6090(89)90806-7

中图分类号：

T [工业技术];

学科分类号：

08 ;

摘要：

引用

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