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HETEROJUNCTION PROPERTIES OF OXIDISED SEMICONDUCTOR
被引:21
作者
:
LINDMAYE.J
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0
LINDMAYE.J
机构
:
来源
:
SOLID-STATE ELECTRONICS
|
1965年
/ 8卷
/ 06期
关键词
:
D O I
:
10.1016/0038-1101(65)90102-4
中图分类号
:
TM [电工技术];
TN [电子技术、通信技术];
学科分类号
:
0808 ;
0809 ;
摘要
:
引用
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页码:523 / &
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共 4 条
[1]
BUSEN K, TO BE PUBLISHED
[2]
WORK FUNCTION AND SORPTION PROPERTIES OF SILICON CRYSTALS
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DILLON, JA
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FARNSWORTH, HE
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FARNSWORTH, HE
.
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS,
1958,
29
(08)
:1195
-1202
[3]
LINDMAYER J, TO BE PUBLISHED
[4]
PHOTOELECTRIC EFFECT FROM BOROSILICATE GLASS
[J].
ROHATGI, VK
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ROHATGI, VK
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JOURNAL OF APPLIED PHYSICS,
1957,
28
(09)
:951
-959
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BUSEN K, TO BE PUBLISHED
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FARNSWORTH, HE
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1958,
29
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-1202
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LINDMAYER J, TO BE PUBLISHED
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PHOTOELECTRIC EFFECT FROM BOROSILICATE GLASS
[J].
ROHATGI, VK
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ROHATGI, VK
.
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS,
1957,
28
(09)
:951
-959
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