EL3 SYSTEM FOR QUARTER-MICRON ELECTRON-BEAM LITHOGRAPHY

被引：13

作者：

GROVES, TR ^{[1
]}

PFEIFFER, HC ^{[1
]}

NEWMAN, TH ^{[1
]}

HOHN, FJ ^{[1
]}

机构：

[1] IBM CORP,THOMAS J WATSON RES CTR,YORKTOWN HTS,NY 10598

来源：

JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B | 1988年 / 6卷 / 06期

关键词：

D O I：

10.1116/1.584123

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：2028 / 2032

页数：5

共 17 条

[1]

BALLANTYNE JP, 1980, ELECTRON BEAM TECHNO

[2]

BOERSCH H, 1959, NATURWISSENSCHAFTEN, V46, P596

[3]

BOERSCH H, 1959, NATURWISSENSCHAFTEN, V46, P21

[4]

BROERS AN, 1978, 9TH INT C EL MICR TO, P343

[5] PROXIMITY EFFECT IN ELECTRON-BEAM LITHOGRAPHY [J].

CHANG, THP .

JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY, 1975, 12 (06) :1271-1275

[6]

DAVIS DE, 1983, J VAC SCI TECHNOL B, V14, P1003

GROVES, T ;

HAMMOND, DL ;

KUO, H .

JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY, 1979, 16 (06) :1680-1685

[8]

HATZAKIS M, 1969, 10 S EL ION LAS BEAM, P107

[9]

MIELLENSTEDT G, 1960, PHYS BLATTER, V16, P192

[10]

MOORE R, 1981, ELECTRONICS, V54, P138