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[2]
BAILLY F, 1963, CR HEBD ACAD SCI, V257, P103
[4]
CROISSANCE EPITAXIQUE DE COMPOSES SEMICONDUCTEURS PAR EVAPORATION-DIFFUSION EN REGIME ISOTHERME
[J].
REVUE DE PHYSIQUE APPLIQUEE,
1966, 1 (01)
:11-&
[5]
COHENSOLAL G, 1965, CR HEBD ACAD SCI, V261, P931
[6]
MARFAING Y, 1967, 1966 INT C CRYST GRO, P549
[7]
MARFAING Y, 1964, C INT PHYS SEMICOND, P1245
[8]
RODOT H, 1963, CR HEBD ACAD SCI, V256, P1954