RADIATION-HARDENED BULK CMOS DEVELOPMENT

被引：0

作者：

DRESSENDORFER, PV ^{[1
]}

机构：

[1] SANDIA NATL LABS,ALBUQUERQUE,NM 87185

来源：

TRANSACTIONS OF THE AMERICAN NUCLEAR SOCIETY | 1985年 / 49卷 / JUN期

关键词：

D O I：

暂无

中图分类号：

TL [原子能技术]; O571 [原子核物理学];

学科分类号：

0827 ; 082701 ;

摘要：

引用

页码：23 / 23

页数：1

共 5 条

[1] TRANSIENT RADIATION UPSET SIMULATIONS OF CMOS MEMORY-CIRCUITS [J].

MASSENGILL, LW ;

DIEHLNAGLE, SE .

[2]

MASSENGILL LW, 1984, 1984 P HEART C FT CA

MNICH, TM ;

DIEHL, SE ;

SHAFER, BD ;

KOGA, R ;

KOLASINSKI, WA ;

OCHOA, A .

[4]

SCHWANK JR, UNPUB

WINOKUR, PS ;

SCHWANK, JR ;

MCWHORTER, PJ ;

DRESSENDORFER, PV ;

TURPIN, DC .