NON-LINEAR SUSCEPTIBILITY OF INTRINSIC CENTERS IN SEMICONDUCTORS .2.

被引：0
作者：
DROZHOV, YP
机构：
来源：
VESTNIK MOSKOVSKOGO UNIVERSITETA SERIYA 3 FIZIKA ASTRONOMIYA | 1983年 / 24卷 / 04期
关键词：
D O I：
暂无
中图分类号：
P1 [天文学];
学科分类号：
0704 ;
摘要：
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页数：5
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