ELECTRONIC-PROPERTIES AND CHEMICAL INTERACTIONS AT III-V COMPOUND SEMICONDUCTOR SURFACES - GERMANIUM AND OXYGEN ON GAAS(110) AND INP(110) CLEAVED SURFACES

被引:31
|
作者
MONCH, W
机构
来源
APPLICATIONS OF SURFACE SCIENCE | 1985年 / 22-3卷 / MAY期
关键词
D O I
10.1016/0378-5963(85)90204-1
中图分类号
学科分类号
摘要
引用
收藏
页码:705 / 723
页数:19
相关论文
共 50 条