INDUCED ANISOTROPY OF SILICON-DOPED YIG

被引：25

作者：

HUNT, RP

机构：

来源：

关键词：

D O I：

10.1063/1.1708456

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

页码：1330 / &

共 5 条

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