GROWTH-PROCESS IN ATOMIC LAYER EPITAXY OF ZN CHALCOGENIDE SINGLE CRYSTALLINE FILMS ON (100) GAAS

被引：156
作者：
YAO, T
TAKEDA, T
机构：
来源：
APPLIED PHYSICS LETTERS | 1986年 / 48卷 / 02期
关键词：
D O I：
10.1063/1.96930
中图分类号：
O59 [应用物理学];
学科分类号：
摘要：
引用
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页码：160 / 162
页数：3
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