LOW-NOISE MICROWAVE HIFET FABRICATED USING PHOTOLITHOGRAPHY AND MOCVD

被引：9

作者：

TANAKA, K

TAKAKUWA, H

NAKAMURA, F

MORI, Y

KATO, Y

机构：

来源：

ELECTRONICS LETTERS | 1986年 / 22卷 / 09期

关键词：

D O I：

10.1049/el:19860331

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：487 / 488

页数：2

共 5 条

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