SELECTIVELY IMPLANTED OXYGEN ISOLATION TECHNOLOGY (SIO)

被引：1

作者：

RATNAM, P

SALAMA, CAT

机构：

[1] Univ of Toronto, Dep of Electrical, Engineering, Toronto, Ont, Can, Univ of Toronto, Dep of Electrical Engineering, Toronto, Ont, Can

来源：

关键词：

D O I：

10.1049/el:19850319

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：448 / 449

页数：2