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INTERDIFFUSION OF IN, GA, AND AL IN EPITAXIAL INGAP AND INGAALP GROWN ON GAAS BY METALORGANIC CHEMICAL VAPOR-DEPOSITION
被引:0
作者
:
MEEHAN, K
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
UNIV ILLINOIS,DEPT ELECT & COMP ENGN,URBANA,IL 61801
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MEEHAN, K
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DABKOWSKI, FP
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GAVRILOVIC, P
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WILLIAMS, JE
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STUTIUS, W
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HSIEH, KC
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机构
:
[1]
UNIV ILLINOIS,DEPT ELECT & COMP ENGN,URBANA,IL 61801
来源
:
JOURNAL OF ELECTRONIC MATERIALS
|
1988年
/ 17卷
/ 04期
关键词
:
D O I
:
暂无
中图分类号
:
TM [电工技术];
TN [电子技术、通信技术];
学科分类号
:
0808 ;
0809 ;
摘要
:
引用
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页码:S22 / S22
页数:1
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